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2SD1408O

更新时间： 2024-02-23 01:40:07

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无锡固电 - ISC		局域网放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	233K
描述
Transistor

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2SD1408O 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.6
Base Number Matches：	1

2SD1408O 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SD1408

DESCRIPTION

·Low Collector Saturation Voltage

: V_CE(sat)= 1.5V(Max)@ I_C= 3A

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 80V (Min)

·Complement to Type 2SB1017

APPLICATIONS

·Designed for power amplifier applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

I_B

0.4

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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