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2SD1390

更新时间： 2024-01-25 10:51:53

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	223K
描述
Silicon NPN Power Transistor

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2SD1390 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	最大集电极电流 (IC)：	6 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	2
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	140 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	40 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

2SD1390 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SD1390

DESCRIPTION

·High Breakdown Voltage-

: V_CBO= 1500V (Min)

·High Reliability

APPLICATIONS

·Designed for line-operated horizontal deflection output

applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CES

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

1500

UNIT

Collector Current- Continuous

Collector Current-Pulse

I_CP

2.5

Collector Power Dissipation

@ T_C≤90℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

-55~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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