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2SD1366-A PDF预览

2SD1366-A

更新时间： 2022-02-26 12:23:55

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NPN Transistors

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2SD1366-A 数据手册

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SMD Type

Transistors

NPN Transistors

2SD1366

1.70 0.1

■ Features

● Low frequency power amplifier

● Complementary to 2SB1000

0.42 0.1

0.46 0.1

1.Base

2.Collector

3.Emitter

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Collector - Base Voltage

Symbol

Rating

25

Unit

V

VCBO

VCEO

VEBO

Collector - Emitter Voltage

Emitter - Base Voltage

20

5

Collector Current - Continuous

Collector Current - Pulse (Note.1)

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

I

C

1

A

I

CP

1.5

1

P

C

W

℃

T

J

150

Storage Temperature Range

T

stg

-55 to 150

Note.1:PW ≤ 10 ms, Duty cycle ≤ 20%.

■ Electrical Characteristics Ta = 25℃

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

25

20

5

Typ

Max

Unit

V

Collector- base breakdown voltage

Collector- emitter breakdown voltage

Emitter - base breakdown voltage

Collector-base cut-off current

Emitter cut-off current

VCBO

VCEO

VEBO

Ic= 100 uA， I

Ic= 1 mA， R^BE=∞

= 100 uA， I = 0

^CB= 20 V , I = 0

EB= 4V , I =0

E= 0

I

E

C

I

CBO

EBO

V

V

E

0.1

0.1

0.3

1

uA

V

I

C

Collector-emitter saturation voltage

Base - emitter saturation voltage

DC current gain

V

CE(sat)

BE(sat)

I

I

C

=800 mA, I

B

=80mA

=80mA

0.15

0.9

V

C

=800 mA, I

B

hFE

V

V

V

^CE= 2V, I

CB= 10V, I

CE= 2V, I = 500mA

C= 0.5 A

85

240

Collector output capacitance

Transition frequency

C

ob

T

E= 0,f=1MHz

22

pF

f

C

240

MHz

■ Classification of hfe

Type

Range

Marking

2SD1366-A

85-170

AA

2SD1366-B

120-240

AB

1

www.kexin.com.cn

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SD1366AA	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| SOT-23	获取价格
2SD1366-AA	HITACHI	SMALL SIGNAL TRANSISTOR	获取价格
2SD1366-AA	RENESAS	SMALL SIGNAL TRANSISTOR	获取价格
2SD1366AAC	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 25V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| SOT-23	获取价格
2SD1366A-AC	RENESAS	SMALL SIGNAL TRANSISTOR	获取价格
2SD1366AACTL	RENESAS	1000mA, 25V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, UPAK-3	获取价格

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