2SD1236L

更新时间： 2024-11-06 07:31:23

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	121K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD1236L 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.57
Base Number Matches：	1

2SD1236L 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD1236L

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·Complement to type 2SB920L

·Low collector saturation voltage

·Large current capacity.

APPLICATIONS

·Relay drivers,high speed inverters,

converters,and other general

high-current switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

CONDITIONS

VALUE

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

Collector current (DC)

Collector current-peak

I_CM

T_C=25℃

P_C

Collector dissipation

1.75

150

-55~150

T_j

Junction temperature

Storage temperature

℃

T_stg

12 3 4

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