2SD1205A

更新时间： 2024-02-03 03:54:28

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松下 - PANASONIC		晶体小信号双极晶体管放大器
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2页	54K
描述
Silicon NPN epitaxial planer type darlington(For low-frequency amplification)

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2SD1205A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.84
其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	8000	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.4 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz

2SD1205A 数据手册

Transistor

2SD1205, 2SD1205A

Silicon NPN epitaxial planer type darlington

Unit: mm

For low-frequency amplification

6.9±0.1

2.5±0.1

1.5

1.5 R0.9

1.0

Features

■

R0.9

●

Forward current transfer ratio h_FEis designed high, which is ap-

propriate to the driver circuit of motors and printer bammer: h_FE

= 4000 to 2000.

R0.7

●

A shunt resistor is omitted from the driver.

0.85

●

M type package allowing easy automatic and manual insertion as

well as stand-alone fixing to the printed circuit board.

0.55±0.1

0.45±0.05

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

Collector to

base voltage

Collector to

2SD1205

V_CBO

2.5

2SD1205A

2SD1205

1:Base

2:Collector

3:Emitter

V_CEO

EIAJ:SC–71

M Type Mold Package

emitter voltage 2SD1205A

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

V_EBO

I_CP

I_C

˚C

Internal Connection

750

500

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

400

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

˚C

≈200Ω

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

100

Unit

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

V_CB= 25V, I_E= 0

I_EBO

V_EB= 4V, I_C= 0

Collector to base

voltage

2SD1205

2SD1205A

V_CBO

I_C= 100µA, I_E= 0

Collector to emitter 2SD1205

V_CEO

V_EBO

I_C= 1mA, I_B= 0

voltage

2SD1205A

Emitter to base voltage

I_E= 100µA, I_C= 0

Forward current transfer ratio

h_FE

V_CE= 10V, I_C= 500mA^*2

I_C= 500mA, I_B= 0.5mA^*2

V_CB= 10V, I_E= –50mA, f = 200MHz

4000

20000

2.5

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

Transition frequency

f_T

150

MHz

^*2Pulse measurement

Rank classification

Rank

h_FE

4000 ~ 10000 8000 ~ 20000

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