2SD1119

更新时间： 2024-11-26 22:45:07

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管
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描述
Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency power amplification0

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2SD1119 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.8
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	150	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

2SD1119 数据手册

Transistor

2SD1119

Silicon NPN epitaxial planer type

For low-frequency power amplification

Unit: mm

1.5±0.1

4.5±0.1

1.6±0.2

Features

■

●

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

●

Satisfactory operation performances at high efficiency with the

low-voltage power supply.

45°

●

Mini type package, allowing downsizing of the equipment and

automatic insertion through the tape packing and the magazine

packing.

0.4±0.08

0.4±0.04

0.5±0.08

1.5±0.1

3.0±0.15

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

marking

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

1:Base

2:Collector

3:Emitter

EIAJ:SC–62

Mini Power Type Package

I_C

Marking symbol : T

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

˚C

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

Printed circuit board: Copper foil area of 1cm²or more, and the board

thickness of 1.7mm for the collector portion

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

V_CB= 10V, I_E= 0

min

typ

max

Unit

µA

Collector cutoff current

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

0.1

V_CEO

V_EBO

I_C= 1mA, I_B= 0

I_E= 10µA, I_C= 0

h_FE1

h_FE2

V_CE= 2V, I_C= 0.5A^*2

V_CE= 2V, I_C= 2A^*2

230

150

600

Forward current transfer ratio

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

I_C= 3A, I_B= 0.1A^*2

MHz

Transition frequency

f_T

V_CB= 6V, I_E= –50mA, f = 200MHz

V_CB= 20V, I_E= 0, f = 1MHz

150

Collector output capacitance

C_ob

^*2Pulse measurement

Rank classification

FE1

Rank

h_FE1

230 ~ 380

340 ~ 600

Marking Symbol

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