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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.45 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 6 A | 集电极-发射极最大电压： | 300 V |
| 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 500 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1114K | ETC |
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| 2SD1115 | HITACHI |
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Silicon NPN Triple Diffused |
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| 2SD1115 | ISC |
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Silicon NPN Darlington Power Transistor |
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| 2SD1115(K) | HITACHI |
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POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN |
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| 2SD1115K | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD1115K | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD1115K | HITACHI |
获取价格 |
Silicon NPN Triple Diffused |
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| 2SD1117 | ISC |
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isc Silicon NPN Power Transistor |
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| 2SD1118 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Power Transistor |
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| 2SD1118 | FUJI |
获取价格 |
TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH SPEED SWITCHING |
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