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2SD1062Q

更新时间: 2024-10-14 23:20:23
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统懋 - MOSPEC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 126K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-220AB

2SD1062Q 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.59
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):12 A
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):70
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):40 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NO标称过渡频率 (fT):5 MHz
Base Number Matches:1

2SD1062Q 数据手册

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