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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.6 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 12 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 40 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 10 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.4 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1062_15 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD1062_2015 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD1062Q | MOSPEC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-220AB |
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| 2SD1062Q | ONSEMI |
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TRANSISTOR POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| 2SD1062R | ONSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| 2SD1062R | ISC |
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Transistor |
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| 2SD1062S | MOSPEC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-220AB |
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| 2SD1062S | ONSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| 2SD1062S | ISC |
获取价格 |
Transistor |
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| 2SD1063 | Wing Shing |
获取价格 |
NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR |
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