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2SD1062

更新时间： 2024-10-15 20:30:27

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安森美 - ONSEMI		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	95K
描述
TRANSISTOR POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power

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2SD1062 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.6	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	12 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	10 MHz
Base Number Matches：	1

2SD1062 数据手册

Ordering number : EN723I

2SB826 / 2SD1062

PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors

2SB826 / 2SD1062

50V / 12A Switching Applications

Applications

•

Relay drivers, high-speed inverters, converters, and other general high-current switching applications.

Features

• Low-saturation collector-to-emitter voltage : V (sat)= --0.5V(PNP), 0.4V(NPN) max.

• Wide ASO leading to high resistance to breakdown.

Specifications ( ) : 2SB826

Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C

Parameter

Collector-to-Base Voltage

Collector-to-Emitter Voltage

Emitter-to-Base Voltage

Collector Current

Symbol

Conditions

Ratings

Unit

CBO

CEO

EBO

(--)60

(--)50

(--)6

(--)12

(--)15

1.75

Collector Current (Pulse)

°C

Collector Dissipation

Tc=25°C

Junction Temperature

Storage Temperature

Tstg

150

--55 to +150

Electrical Characteristics at Ta=25°C

Ratings

typ

Parameter

Symbol

Conditions

=(--)40V, I =0A

Unit

min

max

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

(--)0.1

CBO

=(--)4V, I =0A

EBO

Continued on next page.

Jan-2011, Rev. 0

Publication Order Number:

www.onsemi.com

Rev.0 I Page 1 of 4 I www.onsemi.com

2SB826_2SD1062/D

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SD1062S	MOSPEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 12A I(C) \| TO-220AB
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