2SD1062

更新时间： 2024-10-15 07:31:19

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4页	91K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD1062 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.6
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	12 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	40 W	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	10 MHz	VCEsat-Max：	0.4 V
Base Number Matches：	1

2SD1062 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD1062

DESCRIPTION

·With TO-220 package

·Low collector saturation voltage

·Complement to type 2SB826

·Wide area of safe operation

APPLICATIONS

·Relay drivers,

·High-speed inverters,

·Converters

·General high-current switching

applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

Open base

Open collector

Collector current (DC)

Collector current-peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

I_CM

P_C

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SD1062R	ONSEMI	获取价格	TRANSISTOR POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
2SD1062R	ISC	获取价格	Transistor
2SD1062S	MOSPEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 12A I(C) \| TO-220AB
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