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2SD1005

更新时间： 2024-11-24 07:31:19
品牌 Logo 应用领域
SECOS 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 76K
描述
1A , 100V NPN Plastic Encapsulated Transistor

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2SD1005 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.66
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：25
JESD-30 代码：R-PSSO-F3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：160 MHzBase Number Matches：1

2SD1005 数据手册

  
2SD1005  
1A , 100V  
NPN Plastic Encapsulated Transistor  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free  
SOT-89  
FEATURES  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Small Flat Package  
High Breakdown Voltage  
Excellent DC Current Gain Linearity  
4
1
2
3
B
C
A
E
E
C
CLASSIFICATION OF hFE(1)  
Product-Rank  
2SD1005-W  
90~180  
BW  
2SD1005-V  
2SD1005-U  
200~400  
BU  
B
D
K
Range  
135~270  
BV  
F
G
H
Marking  
J
L
Collector  
2
PACKAGE INFORMATION  
Millimeter  
Millimeter  
REF.  
REF.  
Min.  
Max.  
4.60  
4.25  
1.60  
2.60  
Min.  
Max.  
1
Base  
A
B
C
D
4.40  
3.94  
1.40  
2.25  
G
H
J
0.40  
0.58  
Package  
MPQ  
Leader Size  
1.50 TYP  
3.00 TYP  
SOT-89  
1K  
7 inch  
K
0.32  
0.52  
3
Emitter  
E
F
1.50  
0.89  
1.85  
1.20  
L
0.35  
0.44  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Collector-Base Voltage  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Ratings  
Unit  
V
100  
80  
5
Collector-Emitter Voltage  
V
Emitter-Base Voltage  
V
Collector Current-Continuous  
Collector Power Dissipation  
Maximum Junction to Ambient  
Junction & Storage Temperature  
1
A
PC  
500  
250  
mW  
°C / W  
°C  
RθJA  
TJ, TSTG  
150, -55~150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Min.  
100  
80  
Typ.  
Max.  
Unit  
V
Test conditions  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off Current  
-
-
-
IC=0.1mA, IE=0  
-
V
IC=1mA, IB=0  
5
-
-
-
V
IE=0.1mA, IC=0  
-
0.1  
0.1  
400  
-
µA  
µA  
VCB=100V, IE=0  
VEB=5V, IC=0  
Emitter Cut-Off Current  
IEBO  
-
90  
25  
-
-
-
VCE=2V, IC=100mA  
VCE=2V, IC=500mA  
IC=500mA, IB=50mA  
IC=500mA, IB=50mA  
VCE=10V,IC=10mA  
DC Current Gain  
hFE*  
-
-
Collector-Emitter Saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
Base-emitter voltage  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
*
0.5  
1.5  
0.7  
-
V
V
V
*
-
-
VBE  
*
0.6  
-
-
Transition Frequency  
fT  
160  
12  
MHz VCE=5V,IC=10mA  
pF VCB=10V, IE=0, f=1MHz  
Collector Output Capacitance  
*Pulse test  
COB  
-
-
http://www.SeCoSGmbH.com/  
Any changes of specification will not be informed individually.  
10-Nov-2011 Rev. A  
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1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD1005_15 KEXIN

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 		NPN Transistors
2SD1005-AZ RENESAS

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 		2SD1005-AZ
2SD1005BU ETC

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 		BJT
2SD1005BU-T1-AY RENESAS

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 		TRANSISTOR,BJT,NPN,80V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-89
2SD1005BU-T2 RENESAS

获取价格

 		Si, POWER TRANSISTOR, POWER, MINIMOLD, SC-62, 3 PIN
2SD1005BV ETC

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