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2SD1001EM-T1-AZ

更新时间: 2024-11-20 15:25:11
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 117K
描述
300mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, POWER, MINIMOLD, SC-62, 3 PIN

2SD1001EM-T1-AZ 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:SC-62
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.28外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):0.3 A集电极-发射极最大电压:80 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):90
JESD-30 代码:R-PSSO-F3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):2 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):140 MHzBase Number Matches:1

2SD1001EM-T1-AZ 数据手册

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