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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.65 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.7 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 90 | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 110 MHz | VCEsat-Max： | 0.4 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1000-T2 | RENESAS |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER, |
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| 2SD1000-T2LK | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER, |
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| 2SD1000-T2LL | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER, |
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| 2SD1001 | TYSEMI |
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World standard miniature package:SOT-89. High collector-emitter voltage. |
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| 2SD1001 | RENESAS |
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300mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, POWER, MINIMOLD PACKAGE-3 |
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| 2SD1001 | NEC |
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NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD |
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| 2SD1001 | KEXIN |
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NPN Silicon Epitaxial Transistor |
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| 2SD1001_15 | KEXIN |
获取价格 |
NPN Transistors |
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| 2SD1001-AZ | NEC |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SD1001EK | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 300MA I(C) | SOT-89 |
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