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2SC681

更新时间： 2024-11-18 05:56:11

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	191K
描述
Silicon NPN Power Transistor

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2SC681 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.56
Base Number Matches：	1

2SC681 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SC681

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= 70V (Min)

·Low Collector Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= 2.0V(Max.)@ I_C= 5A

APPLICATIONS

·Designed for use in B/W TV horizontal output applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

MAX

UNIT

200

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

I_CM

I_B

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

℃

T_j

Junction Temperature

150

-65~150

T_stg

Storage Temperature Range

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

2.5

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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