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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SC6142
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2SC6142

更新时间： 2024-09-13 12:50:51
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体开关晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 212K
描述
High Voltage Switching Applications

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2SC6142 技术参数

Source Content uid：2SC6142是否Rohs认证：不符合
生命周期：ActiveObjectid：2064548488
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：unknowncompound_id：5369510
风险等级：5.81最大集电极电流 (IC)：1.5 A
集电极-发射极最大电压：375 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PSSO-F3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：1.1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SC6142 数据手册

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2SC6142  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type  
2SC6142  
Unit: mm  
○High Voltage Switching Applications  
○Switching Regulator Applications  
○DC-DC Converter Applications  
６．５±０．２  
５．２±０．２  
０．６ MAX．  
•
•
Excellent switching times: t = 0.15 μs (typ.)  
f
１．１±０．２  
０．６ MAX  
０．９  
High collector breakdown voltage: V  
= 800 V, V  
= 375 V  
CES  
CEO  
２．３ ２．３  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
１
２
３
０．６±０．１５  
０．６±０．１５  
０．８ MAX．  
１．1 MAX．  
Collector-base voltage  
V
800  
800  
V
V
V
V
CBO  
V
CES  
CEO  
EBO  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
1. BASE  
2. COLLECTOR  
3. EMITTER  
V
V
375  
8
DC  
I
1.5  
C
A
JEDEC  
JEITA  
⎯
⎯
Pulse  
I
3
CP  
Base current  
I
0.75  
1.1  
A
B
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
W
°C  
°C  
C
TOSHIBA  
2-7J2A  
T
j
150  
Weight: 0.32 g (typ.)  
T
−55 to 150  
stg  
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C during use of the device.  
Note 2: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even  
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
1
2010-04-23  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC6142(Q) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR,BJT,NPN,375V V(BR)CEO,1.5A I(C),TO-251VAR
2SC6144 SANYO

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 		NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Current Switching Applications
2SC6144SG SANYO

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2SC6144SG ONSEMI

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2SC6145 SANKEN

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