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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SC5810
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2SC5810

更新时间： 2024-09-25 22:52:47
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东芝 - TOSHIBA 晶体小信号双极晶体管开关
页数 文件大小 规格书
5页 135K
描述
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type

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2SC5810 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：SC-62包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.51
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：200JESD-30 代码：R-PSSO-F3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SC5810 数据手册

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2SC5810  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type  
2SC5810  
High-Speed Switching Applications  
Unit: mm  
DC-DC Converter Applications  
Strobe Applications  
•
•
•
High DC current gain: h  
= 400 to 1000 (I = 0.1 A)  
C
FE  
Low collector-emitter saturation voltage: V  
= 0.17 V (max)  
CE (sat)  
High-speed switching: t = 85 ns (typ.)  
f
Maximum Ratings  
(Ta = 25°C)  
Characteristics  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
100  
80  
V
V
CBO  
V
CEX  
CEO  
EBO  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
50  
7
V
DC  
I
1.0  
2.0  
0.1  
2.0  
1.0  
150  
C
A
Pulse  
I
CP  
JEDEC  
JEITA  
―
Base current  
I
B
A
SC-62  
2-5K1A  
DC  
Collector power  
dissipation  
P
C
(Note)  
W
TOSHIBA  
t = 10 s  
Weight: 0.05 g (typ.)  
Junction temperature  
T
j
°C  
°C  
Storage temperature range  
T
stg  
−55 to 150  
Note: Mounted on an FR4 board (glass epoxy, 1.6 mm thick, Cu area:  
645 mm2)  
Electrical Characteristics  
(Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Test Condition  
= 100 V, I = 0  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Collector cut-off current  
I
I
V
V
―
―
―
―
―
―
―
―
―
5
100  
100  
―
nA  
nA  
V
CBO  
CB  
EB  
E
Emitter cut-off current  
= 7 V, I = 0  
C
EBO  
Collector-emitter breakdown voltage  
V
I
= 10 mA, I = 0  
50  
400  
200  
―
(BR) CEO  
C
B
h
h
(1)  
(2)  
V
V
= 2 V, I = 0.1 A  
1000  
―
FE  
CE  
CE  
C
DC current gain  
= 2 V, I = 0.3 A  
FE  
C
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
Collector output capacitance  
Rise time  
V
I
I
= 300 mA, I = 6 mA  
0.17  
1.10  
―
V
V
CE (sat)  
BE (sat)  
C
C
B
V
= 300 mA, I = 6 mA  
―
B
C
ob  
V
= 10 V, I = 0, f = 1 MHz  
―
pF  
CB  
E
t
―
35  
680  
85  
⎯
r
See Figure 1.  
Switching time  
V
≈ 30 V, R = 100 Ω  
ns  
Storage time  
Fall time  
t
―
―
CC  
L
stg  
I
= −I = 10 mA  
B1  
B2  
t
―
―
f
1
2004-07-07  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC5810(TE12L,F) TOSHIBA

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2SC5814 ISAHAYA

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 		For Low Frequency Amplify Application Silicon NPN Epitaxial Type
2SC5814_10 ISAHAYA

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 		FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE
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2SC5814Q ISAHAYA

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 		Transistor

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