5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 基于收集器的最大容量： | 0.8 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 5.5 V | 配置： | SINGLE |
| 最高频带： | L BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-F3 |
| JESD-609代码： | e6 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN BISMUTH |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 6500 MHz |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC5801-T3 | NEC |
获取价格 |
NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW NOISE 3-PIN LEAD-LESS MINIMOLD |
|
| 2SC5801-T3-A | RENESAS |
获取价格 |
2SC5801-T3-A |
|
| 2SC5801-T3-A-FB | RENESAS |
获取价格 |
L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-3 |
|
| 2SC5801-T3FB | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS M |
|
| 2SC5801-T3FB-A | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS M |
|
| 2SC5802 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2SC5802 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2SC5802 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2SC5802_15 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2SC5802_2015 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
