是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.31 |
最大集电极电流 (IC): | 0.1 A | 基于收集器的最大容量: | 0.8 pF |
集电极-发射极最大电压: | 5.5 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 100 | 最高频带: | L BAND |
JESD-30 代码: | R-PDSO-F3 | JESD-609代码: | e3/e6 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | NPN |
最大功率耗散 (Abs): | 0.14 W | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | MATTE TIN/TIN BISMUTH |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 6500 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SC5801-A-FB | RENESAS |
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L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-3 | |
2SC5801-FB | NEC |
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暂无描述 | |
2SC5801-FB-A | NEC |
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暂无描述 | |
2SC5801-T3 | NEC |
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NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW NOISE 3-PIN LEAD-LESS MINIMOLD | |
2SC5801-T3-A | RENESAS |
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2SC5801-T3-A | |
2SC5801-T3-A-FB | RENESAS |
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L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-3 | |
2SC5801-T3FB | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS M | |
2SC5801-T3FB-A | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS M | |
2SC5802 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
2SC5802 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |