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2SC5667

更新时间： 2024-09-25 15:27:27

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器 ISM频段光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
20页	86K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3

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2SC5667 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.72
最大集电极电流 (IC)：	0.035 A	基于收集器的最大容量：	0.3 pF
集电极-发射极最大电压：	3.3 V	配置：	SINGLE
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e6	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	21000 MHz	Base Number Matches：	1

2SC5667 数据手册

DATA SHEET

NPN SILICON RF TRANSISTOR

2SC5667

NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR

LOW NOISE HIGH-GAIN AMPLIFICATION

3-PIN ULTRA SUPER MINIMOLD

FEATURES

•

Ideal for low noise high-gain amplification and oscillation at 3 GHz or over

NF = 1.1 dB TYP., G^a= 11 dB @ f = 2 GHz, V^CE= 2 V, I^C= 5 mA

Maximum available power gain: MAG. = 12.5 dB TYP. @ f = 2 GHz, V^CE= 2 V, I^C= 20 mA

High f^T: f^T= 21 GHz TYP. @ f = 2 GHz, V^CE= 2 V, I^C= 20 mA

f^T= 25 GHz “UHS0” (Ultra High Speed Process) technology adopted

3-pin ultra super minimold (t = 0.75 mm)

•

ORDERING INFORMATION

Part Number

Quantity

Supplying Form

2SC5667

50 pcs (Non reel)

3 kpcs/reel

• 8 mm wide embossed taping

• Pin 3 (collector) face the perforation side of the tape

2SC5667-T1

Remark To order evaluation samples, consult your NEC sales representative (Unit sample quantity is 50 pcs).

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= +25 °C)

Parameter

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Ratings

Unit

3.3

1.5

°C

tot^Note

115

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

T^j

150

T^stg

−65 to +150

Note Mounted on 1.08 cm²× 1.0 mm (t) glass epoxy substrate

Because this product uses high-frequency technology, avoid excessive static electricity, etc.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. P14853EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published June 2000 NS CP(K)

Printed in Japan

2000

12 3 4 5 6 7...20

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC5667(NE66719)	ETC	获取价格	Discrete
2SC5667-FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN, ULTRA SU
2SC5667-T1	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, ULTRA SU
2SC5667-T1	RENESAS	获取价格	L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3
2SC5667-T1FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN, ULTRA SU
2SC5668	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 3.3V V(BR)CEO \| 35MA I(C) \| SOT-416VAR
2SC5668(NE667M03)	ETC	获取价格	Discrete
2SC5668-FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, ULTRA SU
2SC5668-FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, ULTRA SU
2SC5668-T1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 3.3V V(BR)CEO \| 35MA I(C) \| SOT-416VAR

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