Datasheet > 2SC5551AF-TD-E

2SC5551AF-TD-E

更新时间： 2023-09-03 20:37:25

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		/
页数	文件大小	规格书
6页	102K
描述
RF Transistor, NPN Single, 30 V, 300 mA, fT = 3.5 GHz

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SC5551AF-TD-E 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	7 weeks	风险等级：	5.35
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.3 A
基于收集器的最大容量：	4 pF	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	135
最高频带：	S BAND	JEDEC-95代码：	TO-243
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	1.3 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	3500 MHz
Base Number Matches：	1

2SC5551AF-TD-E 数据手册

DATA SHEET

www.onsemi.com

RF Transistor

1: Base

2: Collector

3: Emitter

30 V, 300 mA, f_T= 3.5 GHz, NPN Single PCP

2SC5551A

SOT−89 / PCP−1

CASE 419AU

MARKING DIAGRAM

Features

• High f : (f = 3.5 GHz Typ)

• Large Current: (I = 300 mA)

• Large Allowable Collector Dissipation (1.3 W Max)

• These are Pb−Free Devices

RANK

Product & Package Information

• Package: PCP

• JEITA, JEDEC: SC−62, SOT−89, TO−243

• Minimum Packing Quantity: 1,000 Pcs./Reel

ELECTRICAL CONNECTION

Specifications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (at Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

Conditions

Ratings

Unit

Collector−to−Base

Voltage

CBO

CEO

EBO

Collector−to−Emitter

Voltage

ORDERING INFORMATION

Emitter−to−Base

Voltage

†

Device

Package

Shipping

Collector Current

300

600

2SC5551AE−TD−E

PCP

(Pb−Free)

1,000 / Tape &

Reel

Collector Current

(Pulse)

2SC5551AF−TD−E

PCP

(Pb−Free)

1,000 / Tape &

Reel

Collector Dissipation

When mounted on

ceramic substrate

(250 mm x 0.8 mm)

1.3

†For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specifications

Brochure, BRD8011/D.

Junction

Temperature

150

°C

Storage

Temperature

Tstg

−55 to +150 °C

Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the

device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be

assumed, damage may occur and reliability may be affected.

Publication Order Number:

April, 2022 − Rev. 3

2SC5551A/D

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

2SC5551AF-TD-E 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2SC5551AF-TD-E	SANYO	功能相似	High-Frequency Medium-Output Amplifier Applications

与2SC5551AF-TD-E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC5551E	SANYO	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 30V V(BR)CEO \| 300MA I(C) \| TO-243
2SC5551F	SANYO	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 30V V(BR)CEO \| 300MA I(C) \| TO-243
2SC5552	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN triple diffusion mesa type(For horizontal deflection output)
2SC5553	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN triple diffusion mesa type(For horizontal deflection output)
2SC5554	RENESAS	获取价格	Silicon NPN Epitaxial VHF / UHF wide band amplifier
2SC5554	HITACHI	获取价格	Silicon NPN Epitaxial VHF / UHF wide band amplifier
2SC5555	HITACHI	获取价格	Silicon NPN Epitaxial VHF / UHF wide band amplifier
2SC5555	RENESAS	获取价格	Silicon NPN Epitaxial VHF / UHF wide band amplifier
2SC5555ZD-TR-E	RENESAS	获取价格	Silicon NPN Epitaxial VHF / UHF wide band amplifier
2SC5556	PANASONIC	获取价格	For UHF Band Low-Noise Amplification

与2SC5551AF-TD-E相关文章

REF03GPZ资料解读：主要特征、技术参数、应用场景
2024-08-05

25
一文带你了解DS28E40主要特征、安全特性、应用场景
2024-07-30

75
RT9172资料手册解读：关节特性、引脚信息、参数说明
2024-07-30

63
一文带你了解SM8760CA资料：主要参数特征
2024-07-30

65

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SC5551AF-TD-E

2SC5551AF-TD-E 技术参数

2SC5551AF-TD-E 数据手册

2SC5551AF-TD-E 替代型号

与2SC5551AF-TD-E相关器件

与2SC5551AF-TD-E相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SC5551AF-TD-E

2SC5551AF-TD-E 技术参数

2SC5551AF-TD-E 数据手册

2SC5551AF-TD-E 替代型号

与2SC5551AF-TD-E相关器件

与2SC5551AF-TD-E相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？