2SC5505

更新时间： 2024-09-26 22:52:47

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
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描述
Silicon NPN epitaxial planar type

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2SC5505 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	8 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SC5505 数据手册

Power Transistors

2SC5505

Silicon NPN epitaxial planar type

For power amplification

Unit: mm

4.6 0.2

9.9 0.3

2.9 0.2

■ Features

φ 3.2 0.1

• High-speed switching

• TO-220D built-in: Excellent package with withstand voltage 5 kV

guaranteed

1.4 0.2

1.6 0.2

2.6 0.1

■ Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

0.8 0.1

0.55 0.15

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

2.54 0.30

5.08 0.50

1: Base

2: Collector

3: Emitter

Collector current

I_C

I_CP

P_C

Peak collector current

Collector power dissipation

TO-220D-A1 Package

T_a= 25°C

2.0

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

°C

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_C= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CEO

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Forward current transfer ratio

I_C= 10 mA, I_B= 0

V_CB= 60 V, I_E= 0

V_CE= 60 V, I_B= 0

V_CE= 2 V, I_C= 1 A

V_CE= 2 V, I_C= 5 A

100

280

µA



I_CEO

h_FE1

h_FE2

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Turn-on time

V_CE(sat)I_C= 5 A, I_B= 0.25 A

V_BE(sat)I_C= 5 A, I_B= 0.25 A

1.2

1.7

t_on

t_stg

t_f

I_C= 4 A

0.2

0.5

µs

Storage time

I_B1= 400 mA, I_B2= −400 mA

V_CC= 50 V

1.0

Fall time

0.10

0.15

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Publication date: February 2003

SJD00287AED

12 3

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