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2SC5503

更新时间： 2024-11-28 22:52:47
品牌 Logo 应用领域
三洋 - SANYO 放大器
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6页 48K
描述
VHF to UHF Low-Noise Wide-Band Amplifier Applications

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2SC5503 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
其他特性：LOW NOISE外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：0.05 A基于收集器的最大容量：1.1 pF
集电极-发射极最大电压：8 V配置：SINGLE
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G4
元件数量：1端子数量：4
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.4 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：9000 MHz

2SC5503 数据手册

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Ordering number:ENN6222  
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor  
2SC5503  
VHF to UHF Low-Noise Wide-Band  
Amplifier Applications  
Features  
Package Dimensions  
unit:mm  
· Low noise : NF=1.2dB typ (f=1GHz).  
· High gain : S21e 2=15dB typ (f=1GHz).  
· High cutoff frequency : f =9.0GHz typ.  
2161  
T
[2SC5503]  
0.65 0.65  
0.15  
0.3  
3
4
0 to 0.1  
2
1
0.6  
0.65 0.5  
2.0  
1 : Emitter  
2 : Collector  
3 : Emitter  
4 : Base  
SANYO : MCP4  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C  
Parameter  
Collector-to-Base Voltage  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
V
16  
CBO  
Collector-to-Emitter Voltage  
Emitter-to-Base Voltage  
Collector Current  
V
8
V
CEO  
V
1.5  
50  
V
EBO  
I
mA  
mW  
˚C  
˚C  
C
Mounted on a ceramic board (250mm2× 0.8mm)  
400  
Collector Dissipation  
P
C
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Tj  
150  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta = 25˚C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
max  
1.0  
Collector Cutoff Current  
I
V
V
V
V
V
V
=10V, I =0  
E
µA  
µA  
CBO  
CB  
EB  
CE  
CE  
CB  
CB  
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
I
=1V, I =0  
10  
EBO  
C
h
=5V, I =15mA  
C
=5V, I =15mA  
C
90*  
270*  
FE  
f
Gain-Bandwidth Product  
Output Capacitance  
9.0  
GHz  
pF  
T
Cob  
Cre  
=10V, f=1MHz  
0.6  
0.3  
1.1  
Reverse Transfer Capacitance  
=10V, f=1MHz  
pF  
* : The 2SC5503 is classified by 15mA h as follows :  
Continued on next page.  
FE  
Marking  
Rank  
GN  
4
5
h
90 to 180  
135 to 270  
FE  
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle  
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft’s  
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious  
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using  
any SANYO products described or contained herein in such applications.  
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that  
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges,or other  
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained  
herein.  
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Company  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
O1899TS (KOTO) TA-1712 No.6222–1/6  
123456

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