生命周期: | Obsolete | 包装说明: | MINIMOLD PACKAGE-6 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.84 |
其他特性: | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC): | 0.01 A |
基于收集器的最大容量: | 0.15 pF | 集电极-发射极最大电压: | 3 V |
配置: | SINGLE | JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 6 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | NPN |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 17000 MHz |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2SC5408-T1FB | NEC | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC, |
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2SC5409 | NEC | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION |
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2SC5409-T1 | NEC | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION |
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2SC5409-T1FB | NEC | 暂无描述 |
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2SC5410 | ETC |
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2SC5410A | ETC |
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