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2SC5407

更新时间： 2024-02-29 04:57:05

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描述
Silicon NPN triple diffusion mesa type(For horizontal deflection output)

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2SC5407 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3E
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.75	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	15 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	6	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	3 MHz	Base Number Matches：	1

2SC5407 数据手册

Power Transistors

2SC5407

Silicon NPN triple diffusion mesa type

For horizontal deflection output

Unit: mm

15.5±0.5

3.0±0.3

5°

φ3.2±0.1

Features

■

5°

●

High breakdown voltage, and high reliability through the use of a

glass passivation layer

●

High-speed switching

5°

●

Wide area of safe operation (ASO)

5°

4.0

2.0±0.2

1.1±0.1

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

0.7±0.1

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CES

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

Unit

5.45±0.3

Collector to base voltage

1700

5°

Collector to emitter voltage

600

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

1:Base

2:Collector

3:Emitter

I_C

TOP–3E Full Pack Package

Base current

I_B

Collector power T_C=25°C

100

P_C

dissipation

Ta=25°C

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

T_stg

–55 to +150

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

Unit

µA

_CB= 1000V, I_E= 0

Collector cutoff current

V_CB= 1700V, I_E= 0

V_EB= 5V, I_C= 0

µA

Emitter cutoff current

I_EBO

h_FE

Forward current transfer ratio

V_CE= 5V, I_C= 7.5A

I_C= 7.5A, I_B= 1.88A

V_CE= 10V, I_C= 0, f = 0.5MHz

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

1.5

Transition frequency

Storage time

f_T

t_stg

t_f

MHz

µs

4.0

0.3

I_C= 8A, I_B1= 2A, I_B2= –4A

Fall time

µs

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