5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 2SC5406
2SC5406 PDF预览

2SC5406

更新时间： 2024-11-23 22:52:47
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
2页 39K
描述
Silicon NPN triple diffusion mesa type(For horizontal deflection output)

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SC5406 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-3E
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.82其他特性：HIGH RELIABILITY
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：14 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：5JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：3 MHz

2SC5406 数据手册

 浏览型号2SC5406的Datasheet PDF文件第2页 
Power Transistors  
2SC5406, 2SC5406A  
Silicon NPN triple diffusion mesa type  
For horizontal deflection output  
Unit: mm  
15.5±0.5  
3.0±0.3  
5°  
φ3.2±0.1  
Features  
■
5°  
●
High breakdown voltage, and high reliability through the use of a  
glass passivation layer  
●
High-speed switching  
5°  
5°  
●
Wide area of safe operation (ASO)  
5°  
4.0  
2.0±0.2  
1.1±0.1  
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
■
C
0.7±0.1  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCES  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
Unit  
V
5.45±0.3  
5.45±0.3  
Collector to base voltage  
1500  
1500  
V
5°  
Collector to emitter voltage  
600  
V
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
5
V
1
2
3
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
20  
A
IC  
14  
A
TOP–3E Full Pack Package  
Base current  
IB  
8
A
Collector power TC=25°C  
100  
PC  
W
dissipation  
Ta=25°C  
3
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
50  
1
Unit  
µA  
Collector cutoff  
2SC5406  
VCB = 1000V, IE = 0  
current  
2SC5406A  
VCB = 1500V, IE = 0  
VEB = 5V, IC = 0  
mA  
µA  
Emitter cutoff current  
IEBO  
hFE  
50  
12  
3
Forward current transfer ratio  
VCE = 5V, IC = 7A  
5
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
IC = 7A, IB = 1.75A  
IC = 7A, IB = 1.75A  
VCE = 10V, IC = 0, f = 0.5MHz  
V
V
1.5  
Transition frequency  
Storage time  
fT  
tstg  
tf  
3
MHz  
µs  
4.0  
0.3  
IC = 7A, IB1 = 1.75A, IB2 = –3.5A  
Fall time  
µs  
1
12

中文翻译

下载PDF

与2SC5406相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC5406A PANASONIC

获取价格

 		Silicon NPN triple diffusion mesa type(For horizontal deflection output)
2SC5407 PANASONIC

获取价格

 		Silicon NPN triple diffusion mesa type(For horizontal deflection output)
2SC5407 ISC

获取价格

 		Silicon NPN Power Transistor
2SC5408 NEC

获取价格

 		NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION
2SC5408-T1 NEC

获取价格

 		NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION
2SC5408-T1FB NEC

获取价格

 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC,
2SC5409 NEC

获取价格

 		NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION
2SC5409-T1 NEC

获取价格

 		NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION
2SC5409-T1FB NEC

获取价格

 		暂无描述
2SC5410 ETC

获取价格

与2SC5406相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证