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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SC5392
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2SC5392

更新时间： 2024-09-13 04:26:07
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松下 - PANASONIC 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
3页 158K
描述
Silicon NPN triple diffusion planar type

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2SC5392 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：TO-220D, FULL PACK-3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.84Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：1.5 A
集电极-发射极最大电压：500 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：8JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：20 MHzBase Number Matches：1

2SC5392 数据手册

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Power Transistors  
2SC5392  
Silicon NPN triple diffusion planar type  
For high breakdown voltage high-speed switching  
Unit: mm  
4.6±0.2  
Features  
High-speed switching  
0.3  
■
2.9±0.2  
●
●
High collector to base voltage VCBO  
φ3.
●
Wide area of safe operation (ASO)  
●
Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE  
●
Dielectric breakdown voltage of the package: > 5kV  
0.2  
2.6±0.1  
1.6±0
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
■
C
0.8.1  
0.55±0.15  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCES  
VCEO  
VE
ICP  
Ratings  
U
V
2.54±0.3  
3
5.08±0.5  
Collector to base voltage  
800  
1
800  
V
Collector to emitter voltage  
V
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
8
V
3.0  
A
TO–220D Full Pack Package  
IC  
1.5  
0.5  
A
Base current  
IB  
A
Collector power TC=25°C  
2
PC  
W
dissipation  
a=25C  
2.
Junctioemperture  
Storage mpratur
Tj  
150  
˚C  
˚C  
Tstg  
–55 to +50  
Electricl Characterstics (T =5˚C)  
■
C
Para
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
100  
100  
Unit  
µA  
µA  
V
Collector cutof
Emitter cutoff curre
VCB = 800V, IE = 0  
VEB = 5V, IC = 0  
C = 10mA, IB = 0  
IEBO  
VCE
hFE1  
hFE2  
Collector to emitter volte  
I
500  
15  
8
VCE = 5V, IC = 0.1A  
VCE = 5V, IC = 0.6A  
Forward current transfer ratio  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
I
C = 0.6A, IB = 0.17A  
1.0  
1.5  
V
V
IC = 0.6A, IB = 0.17A  
Transition frequency  
Turn-on time  
Storage time  
Fall time  
fT  
ton  
tstg  
tf  
VCE = 10V, IC = 0.1A, f = 1MHz  
20  
MHz  
µs  
1.0  
3.0  
0.3  
IC = 0.6A, IB1 = 0.17A, IB2 = – 0.34A,  
VCC = 200V  
µs  
µs  
1
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC5393 PANASONIC

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 		Silicon NPN triple diffusion planar type(For high breakdown voltage high-speed switching)
2SC5394 MITSUBISHI

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2SC5395 ISAHAYA

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