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2SC5387

更新时间： 2024-01-24 15:30:37

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描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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2SC5387 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Base Number Matches：	1

2SC5387 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SC5387

DESCRIPTION

·High Breakdown Voltage-

: V_CBO= 1200V (Min)

·High Switching Speed

·Low Saturation Voltage

APPLICATIONS

·Horizontal deflection output for high resolution display,

color TV.

·High speed switching applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

1200

600

UNIT

Collector Current- Continuous

Collector Current- Pulse

Base Current- Continuous

I_CM

I_B

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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