2SC5359

更新时间： 2024-02-13 22:33:32

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	142K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC5359 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.61	最大集电极电流 (IC)：	15 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	55
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	180 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

2SC5359 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC5359

DESCRIPTION

·With TO-3PL package

·Complement to type 2SA1987

APPLICATIONS

·Power amplifier applications

·Recommend for 100W high fidelity audio

frequency amplifier output stage

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3PL) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings(Tc=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

230

UNIT

Open base

230

Open collector

I_B

Base current

1.5

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

180

℃

T_j

150

T_stg

-55~150

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