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2SC5356

更新时间： 2024-01-23 14:57:28

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TYSEMI		开关
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2页	209K
描述
Excellent switching times: tf= 0.5 Ã¬s (max) (IC = 1.2 A) High DC current gain: hFE = 15 (min) (IC = 0.15 A)

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2SC5356 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Lifetime Buy
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.78
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	3 A
配置：	Single	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

2SC5356 数据手册

SSMMDD TTyyppee

Product specification

2SC5356

TO-252

Unit: mm

6.50^+0.15

-0.15

2.30^+0.1

-0.1

5.30^+0.2

0.50^+0.8

-0.7

-0.2

Features

Excellent switching times: t^f= 0.5 ìs (max) (I^C= 1.2 A)

High collectors breakdown voltage: V^CEO= 800 V

High DC current gain: h^FE= 15 (min) (I^C= 0.15 A)

0.127

max

0.80^+0.1

-0.1

0.60^+0.1

2.3

4.60^+0.15

-0.1

1 Base

-0.15

2 Collector

3 Emitter

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

Unit

900

800

Collector current ( DC)

Collector current (Pulse)

Base current

I^CP

I^B

1.5

Collector power dissipation Ta = 25

T^C= 25

P^C

Junction temperature

Storage temperature range

T^j

150

T^stg

-55 to +150

http://www.twtysemi.com

1 of 2

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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