2SC5354

更新时间： 2024-11-30 07:31:11

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	97K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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2SC5354 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.57
Base Number Matches：	1

2SC5354 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SC5354

DESCRIPTION

·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 800V(Min)

·High Switching Speed

APPLICATIONS

·High speed and high voltage switching applications.

·Switching regulator applications.

·High speed DC-DC converter applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base voltage

VALUE

900

800

UNIT

Collector Current-Continuous

Collector Current-Pulse

Base Current-Continuous

I_CM

I_B

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

100

150

-55~150

℃

T_J

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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