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2SC5342UFO

更新时间： 2024-11-20 07:27:03

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可天士 - KODENSHI		/
页数	文件大小	规格书
4页	212K
描述
TRANSISTOR,BJT,NPN,32V V(BR)CEO,500MA I(C),SOT-323VAR

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2SC5342UFO 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	70	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

2SC5342UFO 数据手册

2SC5342UF

NPN Silicon Transistor

Description

PIN Connection

• Medium power amplifier

Features

• Large collector current : I_C=500mA

• Low collector saturation voltage enabling

low-voltage operation

• Complementary pair with 2SA1979UF

SOT-323F

Ordering Information

Type NO.

Marking

Package Code

2SC5342UF

SOT-323F

① ② ③

①Device Code ②hFE Rank ③Year&Week Code

Absolute maximum ratings

Characteristic

(Ta=25°C)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

Collector-Base voltage

Collector-Emitter voltage

Emitter-Base voltage

Collector current

500

°C

Collector dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

200

T_j

150

T_stg

-55~150

°C

Electrical Characteristics

Characteristic

(Ta=25°C)

Symbol

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

Test Condition

Min. Typ. Max. Unit

Collector-Base breakdown voltage

Collector-Emitter breakdown voltage

Emitter-Base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_C=100μA, I_E=0

I_C=1mA, I_B=0

I_E=10μA, I_C=0

V_CB=40V, I_E=0

0.1

240

0.25

μA

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB=5V, I_C=0

DC current gain

V_CE=1V, I_C=100mA

I_C=100mA, I_B=10mA

V_CE=6V, I_C=20mA

V_CB=6V, I_E=0, f=1MHz

h_FE

Collector-Emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)

f_T

300

7.0

MHz

Collector output capacitance

C_ob

* : h_FERank

/ O : 70~140, Y : 120~240

KSD-T5D019-001

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