2SC5195

更新时间： 2024-11-18 22:40:03

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日电电子 - NEC		晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管微波光电二极管
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MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

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2SC5195 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SUPERCOMPACT, PLASTIC PACKAGE-3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.71
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	基于收集器的最大容量：	0.8 pF
集电极-发射极最大电压：	6 V	配置：	SINGLE
最高频带：	C BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	5000 MHz	Base Number Matches：	1

2SC5195 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

2SC5195

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

FEATURES

PACKAGE DRAWINGS

•

Low Voltage Operation, Low Phase Distortion

(Unit: m m )

Low Noise

1.6±0.1

0.8±0.1

NF = 1.5 dB TYP. @V^CE= 3 V, IC = 7 m A, f = 2 GHz

NF = 1.5 dB TYP. @V^CE= 1 V, IC = 3 m A, f = 2 GHz

Large Absolute Maxim um Collector Current

I^C= 100 m A

•

Supercom pact Mini Mold Package

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

2SC5195

QUANTITY

PACKING STYLE

In-bulk products Em bossed tape 8 m m wide.

(50 pcs.)

Pin 3 (Collector) face to perforation side of

the tape.

2SC5195-T1

Taped products

(3 Kpcs/Reel)

Rem ark If you require an evaluation sam ple, please contact an NEC

Sales Representative. (Unit sam ple quantity is 50 pcs.)

PIN CONNECTIONS

1. Emitter

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)

2. Base

PARAMETER

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

RATING

UNIT

3. Collector

Collector to Base Voltage

Collector to Em itter Voltage

Em itter to Base Voltage

Collector Current

100

m A

m W

˚C

Total Power Dissipation

J unction Tem perature

Storage Tem perature

125

150

Tstg

–65 to +150

˚C

This device uses radio frequency technology. Take due precautions to protect it from excessive input levels such as static electricity.

Document No. P10398EJ2V0DS00 (2nd edition)

(Previous No. TD-2488)

Date Published August 1995 P

Printed in Japan

1994

12 3 4 5 6 7...10

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2SC5195 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NE68819-T1-A	CEL	功能相似	SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

与2SC5195相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC5195(NE68819)	ETC	获取价格	Discrete
2SC5195-FB	NEC	获取价格	暂无描述
2SC5195-FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, SUPERCOMPA
2SC5195-T1	NEC	获取价格	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
2SC5195-T1FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, SUPERCOMPA
2SC5195-T1FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, SUPERCOMPA
2SC5196	TOSHIBA	获取价格	NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
2SC5196	Wing Shing	获取价格	NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR(AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER)
2SC5196	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SC5196	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Power Transistor

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