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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.85 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 5 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 70 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.8 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 120 MHz | VCEsat-Max： | 0.4 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC5176Y | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220VAR |
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| 2SC5176-Y | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-10T1A, 3 PIN, BIP General Purpose Power |
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| 2SC5177 | NEC |
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NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATIO |
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| 2SC5177T1 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 3V V(BR)CEO | 10MA I(C) | SOT-23 |
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| 2SC5177-T1 | RENESAS |
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Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN |
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| 2SC5177-T1FB | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, Silicon, NPN, MINIMOLD, SC-59, |
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| 2SC5177-T2 | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, Silicon, NPN, MINIMOLD, SC-59, |
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| 2SC5177-T2FB | RENESAS |
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L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SC-59, 3 PIN |
|
| 2SC5177-T2FB | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, Silicon, NPN, MINIMOLD, SC-59, |
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| 2SC5178 | NEC |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN 4-PIN MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIF |
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