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2SC5086

更新时间: 2024-01-17 07:56:53
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东芝 - TOSHIBA 晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
5页 350K
描述
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS)

2SC5086 技术参数

生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.22Is Samacsys:N
其他特性:LOW NOISE最大集电极电流 (IC):0.08 A
基于收集器的最大容量:1.15 pF集电极-发射极最大电压:12 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):120
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:125 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.1 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):7000 MHz
Base Number Matches:1

2SC5086 数据手册

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NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS)
2SC5086FT_07 TOSHIBA

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TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 40MA I(C) | SOT-416
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