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2SC5071_01

更新时间： 2024-11-24 07:31:07
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三垦 - SANKEN 晶体晶体管
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描述
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor

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2SC5071_01 数据手册

  
2 S C5 0 7 1  
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (High Voltage and High Speed Switchihg Transistor)  
Application : Switching Regulator and General Purpose  
■Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
■Electrical Characteristics  
(Ta=25°C)  
External Dimensions MT-100(TO3P)  
Ratings  
Symbol  
Conditions  
Unit  
µA  
µA  
V
Symbol  
Ratings  
100max  
100max  
400min  
10 to 30  
0.5max  
1.3max  
10typ  
Unit  
±0.2  
4.8  
±0.4  
15.6  
ICBO  
VCB=500V  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
500  
V
±0.1  
2.0  
9.6  
IEBO  
VEB=10V  
400  
10  
V
V(BR)CEO  
hFE  
IC=25mA  
V
a
b
±0.1  
ø3.2  
VCE=4V, IC=7A  
IC=7A, IB=1.4A  
IC=7A, IB=1.4A  
VCE=12V, IE=–1A  
VCB=10V, f=1MHz  
12(Pulse24)  
4
A
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
IB  
V
V
A
PC  
100(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
2
Tj  
MHz  
pF  
3
COB  
Tstg  
105typ  
–55 to +150  
+0.2  
-0.1  
+0.2  
-0.1  
1.05  
0.65  
1.4  
±0.1  
±0.1  
5.45  
5.45  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
B
C
E
Weight : Approx 6.0g  
a. Part No.  
VCC  
(V)  
RL  
(Ω)  
IC  
(A)  
VBB1  
(V)  
VBB2  
(V)  
IB1  
(A)  
IB2  
(A)  
ton  
(µs)  
tstg  
(µs)  
tf  
(µs)  
b. Lot No.  
200  
28.5  
7
10  
–5  
0.7  
–1.4  
1.0max  
3.0max  
0.5max  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat),VBE(sat) IC Temperature Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(IC/IB=5)  
(VCE=4V)  
12  
10  
8
12  
10  
8
VBE(sat)  
1
6
6
4
4
IB=100mA  
2
2
VCE(sat)  
0
0
0
0
1
2
3
4
0.02 0.05 0.1  
0.5  
1
5
10  
0
0.5  
1.0  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
Collector Current IC(A)  
–
–
–
hFE IC Characteristics (Typical)  
ton•tstg•tf IC Characteristics (Typical)  
θ
j-a t Characteristics  
(VCE=4V)  
3
1
5
40  
125˚C  
tstg  
VCC  
200V  
IC:IB1:IB2=10:1:–2  
25˚C  
1
–30˚C  
0.5  
tf  
0.5  
0.3  
10  
8
ton  
0.1  
0.5  
1
10  
100  
1000  
1
5
10 12  
0.02  
0.05 0.1  
0.5  
1
5
1012  
Collector Current IC(A)  
Time t(ms)  
Collector Current IC(A)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
Reverse Bias Safe Operating Area  
–
Pc Ta Derating  
30  
30  
100  
10  
5
10  
5
50  
1
1
Without Heatsink  
Natural Cooling  
L=3mH  
0.5  
0.5  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
IB2 =1.0A  
Duty:less than 1%  
Without Heatsink  
3.5  
0
0.1  
5
0.1  
5
10  
50  
100  
500  
10  
50  
100  
500  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
125  
1

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