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2SC5069

更新时间： 2024-01-14 08:21:35

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TYSEMI		/
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2页	291K
描述
High current capacity. Adoption of MBIT process. High DC current gain.

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2SC5069 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.39
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	800	JEDEC-95代码：	TO-243
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	1.5 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	NOT SPECIFIED	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	VCEsat-Max：	0.5 V
Base Number Matches：	1

2SC5069 数据手册

SMD Type

SSMMDD TTyyppee

TransistIoCrs

Product specification

2SC5069

Features

High current capacity.

Adoption of MBIT process.

High DC current gain.

Low collector-to-emitter saturation voltage.

High V^EBO.

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

Unit

Collector current (pulse)

Base Current

I^CP

0.4

I^B

Collector dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P^{C *}

T^j

1.5

150

T^stg

-55 to +150

* Mounted on ceramic board(250mm²X0.8mm).

http://www.twtysemi.com

1 of 2

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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