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2SC5053

更新时间： 2024-02-12 22:57:05

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描述
Low saturation voltage, typically VCE(sat) = 0.12V at IC / IB = 500mA / 50mA.

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2SC5053 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e2	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN COPPER
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SC5053 数据手册

SSMMDD TTyyppee

SMD Type

Product specification

2SC5053

Features

Low saturation voltage, typically V^CE(sat)= 0.12V at I^C/

I^B= 500mA / 50mA.

P^C=2W (on 40×40×0.7mm ceramic board).

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Symbol

V^CBO

V^CEO

Rating

Unit

-60

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

-50

V^EBO

-5

I^C

-1

Collector current

I^C(Pulse) *¹

-2

P^C

0.5

Collector power dissipation

P^C

T^j

T^stg

Junction temperature

Storage temperature

150

-55 to +150

*1. Single pulse, Pw=100ms, duty=1/2.

*2. 40X40X0.7mm Ceramic board.

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

Testconditons

Min

-60

-50

-5

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

BV^CBOI^C=-50ìA

BV^CEOI^C=-1mA

BV^EBOI^E=-50ìA

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

I^CBO

V^CB=-40V

VEB=-4V

-0.1

-0.5

-0.4

270

ìA

IEBO

Collector-emitter saturation voltage

Forward current transfer ratio

Transition frequency

V^CE(sat)I^C=-500mA,I^B=-50mA

h^FEV^CE=-3V,I^C=-0.5A

f^T

120

V^CE=-5V, I^E= 50mA, f=100MHz

V^CB=-10V, I^E=0A, f=1MHz

150

MHz

Output capacitance

C^ob

hFE Classification

Marking

Rank

http://www.twtysemi.com

1 of 1

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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