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| 生命周期： | Active | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.8 A | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC5053 | KEXIN |
获取价格 |
Medium Power Transistor |
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| 2SC5053 | TYSEMI |
获取价格 |
Low saturation voltage, typically VCE(sat) = 0.12V at IC / IB = 500mA / 50mA. |
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| 2SC5053 | ROHM |
获取价格 |
Medium Power Transistor (-50V, -1A) |
|
| 2SC5053_REV2008 | ROHM |
获取价格 |
Low saturation voltage, typically VCE(sat)=0.12V at IC/IB=500mA/50mA |
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| 2SC5053P | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SC5053Q | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | SC-62 |
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| 2SC5053R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | SC-62 |
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| 2SC5053T100 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MPT3, 3 P |
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| 2SC5053T100/P | ROHM |
获取价格 |
1A, 50V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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| 2SC5053T100/PQ | ROHM |
获取价格 |
1A, 50V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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