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2SC5030

更新时间: 2024-10-27 22:40:03
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 功率放大器
页数 文件大小 规格书
3页 194K
描述
NPN EPITAXIAL TYPE (STOROBE FLASH, MUDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

2SC5030 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.92最大集电极电流 (IC):5 A
集电极-发射极最大电压:20 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):250JESD-30 代码:R-PSIP-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):1.3 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):150 MHz
VCEsat-Max:0.5 VBase Number Matches:1

2SC5030 数据手册

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