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2SC5029-O

更新时间： 2024-10-28 21:13:19

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	140K
描述
TRANSISTOR 3 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-8M1A, 3 PIN, BIP General Purpose Power

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2SC5029-O 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	2-8M1A, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.85
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	70
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

2SC5029-O 数据手册

2SC5029

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

2SC5029

Industrial Applications

Unit: mm

Power Amplifier Applications

Power Switching Applications

•

Low saturation voltage: V

= 0.5 V (max) (I = 1 A, I = 0.05 A)

CE (sat) C B

High collector power dissipation: P = 1.3 W

High-speed switching: t

= 1.0 μs (typ.)

stg

Complementary to 2SA1892

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

CBO

CEO

EBO

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Base current

0.2

1.3

150

JEDEC

JEITA

―

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

°C

TOSHIBA

2-8M1A

stg

−55 to 150

Weight: 0.55 g (typ.)

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high

temperature/current/voltage and the significant change in

temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating

conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report

and estimated failure rate, etc).

2006-11-10

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC5029Y	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 3 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-8M1A, 3 PIN, BIP General Pur
2SC5029-Y	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 3 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-8M1A, 3 PIN, BIP General Pur
2SC503	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 600MA I(C) \| TO-39
2SC5030	TOSHIBA	获取价格	NPN EPITAXIAL TYPE (STOROBE FLASH, MUDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
2SC5030_04	TOSHIBA	获取价格	Strobe Flash Applications
2SC5032	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN triple diffusion planar type(For high breakdown voltage high-speed switching)
2SC5034	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN triple diffusion planar type(For high breakdown voltage high-speed switching)
2SC5035	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN triple diffusion planar type(For high breakdown voltage high-speed switching)
2SC5036	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN triple diffusion planar type(For high breakdown voltage high-speed switching)
2SC5036A	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN triple diffusion planar type(For high breakdown voltage high-speed switching)

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