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2SC4983

更新时间： 2024-01-19 12:57:14

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TYSEMI		晶体驱动器开关放大器晶体管功率放大器光电二极管电机
页数	文件大小	规格书
1页	86K
描述
AF power amplifier, medium-speed switching, small-sized motor drivers and LED drivers.

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2SC4983 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.52	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	15 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	80	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

2SC4983 数据手册

SMD Type

TransistIoCrs

Product specification

2SC4983

SOT-23

Unit: mm

+0.1

-0.1

2.9

0.4

+0.1

-0.1

Features

AF power amplifier, medium-speed switching,

small-sized motor drivers and LED drivers.

Large current capacity.

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

-0.1

1.9

Low collector-to-emitter saturation voltage.

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

Unit

Collector current (pulse)

Base current

I^CP

I^B

200

Collector dissipation

Jumction temperature

Storage temperature

P^C

250

T^j

150

T^stg

-55 to +150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

Ic^BO

I^EBO

h^FE

Testconditons

Min

135

Typ

Max

100

600

Unit

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

V^CB= 12V , I^E= 0

V^EB= 4V , I^C= 0

DC current Gain

V^CE= 2V , I^C= 50mA

V^CB= 10V , f = 1MHz

I^C= 5mA , I^B= 0.5mA

I^C= 500mA , I^B= 25mA

Gain bandwidth product

Common base output capacitance

f^T

200

MHz

Cob

240

1.2

Collector-to-emitter saturation voltage

V^CE(sat)

120

0.9

Base-to-emitter saturation voltage

Collector-to-base breakdown voltage

Collector-to-emitter breakdown voltage

Emitter-to-base breakdown voltage

V^BE(sat)I^C= 500mA , I^B= 25mA

V^(BR)CBOI^C= -10ìA , I^E= 0

V^(BR)CEO

I^C= -1mA , R^BE=

V^(BR)EBOI^E= -10ìA , I^C= 0

hFE Classification

Marking

Rank

hFE

135 270

200 400

300 600

http://www.twtysemi.com

1 of 1

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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