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2SC4892

更新时间： 2024-09-13 22:52:43
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体开关晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 57K
描述
Silicon NPN triple diffusion planar type(For power switching)

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2SC4892 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.82最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：800 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：3JESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：15 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：4 MHz
Base Number Matches：1

2SC4892 数据手册

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Power Transistors  
2SC4892  
Silicon NPN triple diffusion planar type  
For power switching  
Unit: mm  
5.0±0.1  
Features  
High-speed switching  
■
10.0±0.2  
1.0  
●
90°  
●
High collector to base voltage VCBO  
●
Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE  
●
1.2±0.1  
C1.0  
Allowing supply with the radial taping  
2.25±0.2  
0.65±0.1  
0.35±0.1  
1.05±0.1  
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
■
C
0.55±0.1  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCES  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
Unit  
V
0.55±0.1  
Collector to base voltage  
900  
900  
V
C1.0  
1
2 3  
Collector to emitter voltage  
800  
V
2.5±0.2  
2.5±0.2  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
7
V
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
2
A
IC  
1
A
MT4 Type Package  
Base current  
IB  
0.3  
A
Collector power TC=25°C  
15  
PC  
W
dissipation  
Ta=25°C  
2
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
50  
Unit  
µA  
µA  
V
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
VCB = 900V, IE = 0  
IEBO  
VCEO  
hFE1  
hFE2  
VEB = 7V, IC = 0  
50  
Collector to emitter voltage  
IC = 1mA, IB = 0  
800  
6
VCE = 5V, IC = 0.05A  
VCE = 5V, IC = 0.5A  
IC = 0.2A, IB = 0.04A  
IC = 0.2A, IB = 0.04A  
VCE = 10V, IC = 0.05A, f = 1MHz  
Forward current transfer ratio  
3
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
1.5  
1
V
V
Transition frequency  
Turn-on time  
Storage time  
Fall time  
fT  
ton  
tstg  
tf  
4
MHz  
µs  
1
3
1
IC = 0.2A, IB1 = 0.04A, IB2 = – 0.08A,  
VCC = 250V  
µs  
µs  
1
123

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