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2SC4886Y

更新时间： 2024-09-14 21:17:51

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急速微 - ALLEGRO		/
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1页	25K
描述
Power Bipolar Transistor, 14A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-3PF, 3 PIN

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2SC4886Y 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3PF
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.4	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	14 A	集电极-发射极最大电压：	150 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	90
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	60 MHz
Base Number Matches：	1

2SC4886Y 数据手册

LAP T 2 S C4 8 8 6

Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SA1860)

Application : Audio and General Purpose

■Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

■Electrical Characteristics

External Dimensions FM100(TO3PF)

(Ta=25°C)

Symbol

V^CBO

VCEO

VEBO

Symbol

I^CBO

Conditions

2SC4886

Unit

µA

Unit

±0.2

5.5

±0.2

15.6

±0.2

3.45

100max

150min

50min

V^CB=150V

150

IEBO

V^EB=5V

150

V(BR)CEO

hFE

I^C=25mA

±0.2

ø3.3

V^CE=4V, IC=5A

I^C=5A, IB=500mA

V^CE=12V, IE=–2A

V^CB=10V, f=1MHz

VCE(sat)

2.0max

60typ

MHz

80(Tc=25°C)

150

°C

1.75

2.15

0.8

COB

200typ

Tstg

h^FERank O(50 to 100), P(70 to 140), Y(90 to 180)

–55 to +150

+0.2

-0.1

1.05

+0.2

±0.1

1.5

±0.1

0.65

-0.1

5.45

1.5

3.35

■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

4.4

V^CC

(V)

(Ω)

(A)

VBB1

(V)

V^BB2

(V)

I^B1

(A)

I^B2

(A)

ton

(µs)

tstg

(µs)

Weight : Approx 6.5g

a. Type No.

b. Lot No.

–5

0.5

–0.5

0.26typ

1.5typ

0.35typ

–

IC VCE Characteristics (Typical)

VCE(sat) IB Characteristics (Typical)

IC VBE Temperature Characteristics (Typical)

(VCE=4V)

IC=10A

I^B=20mA

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

Collector-Emitter Voltage V^CE(V)

Base Current I^B(A)

Base-Emittor Voltage V^BE(V)

–

j-a t Characteristics

hFE IC Characteristics (Typical)

hFE IC Temperature Characteristics (Typical)

(VCE=4V)

200

100

200

125˚C

100

25˚C

Typ

–30˚C

0.5

0.02

0.1

100

Time t(ms)

1000 2000

0.1

0.5

10 14

0.1

0.5

10 14

Collector Current I^C(A)

–

fT IE Characteristics (Typical)

Safe Operating Area (Single Pulse)

–

Pc Ta Derating

(VCE=12V)

Typ

0.5

Without Heatsink

Natural Cooling

0.1

Without Heatsink

3.5

0.05

–0.02

–0.1

–1

–10

100

200

150

100

125

150

Collector-Emitter Voltage V^CE(V)

Emitter Current I^E(A)

Ambient Temperature Ta(˚C)

119

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC4887LS	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 1.2KV V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-220VAR
2SC4888LS	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 1.2KV V(BR)CEO \| 300MA I(C) \| TO-220VAR
2SC4890	SANYO	获取价格	Very High-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications
2SC4891	SANYO	获取价格	Very High-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications
2SC4892	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN triple diffusion planar type(For power switching)
2SC4893	PANASONIC	获取价格	Transistors (Selection Guide by Applications and Functions)
2SC4894TSK	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.13A I(C), 1-Element, NPN, Silicon
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