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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SC4886O
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2SC4886O

更新时间： 2024-11-20 13:04:19
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
1页 28K
描述
Power Bipolar Transistor, 14A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, FM100, TO-3PF, 3 PIN

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2SC4886O 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-3PF
包装说明：FM100, TO-3PF, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.4Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：14 A
集电极-发射极最大电压：150 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：60 MHz
Base Number Matches：1

2SC4886O 数据手册

  
LAP T 2 S C4 8 8 6  
Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SA1860)  
Application : Audio and General Purpose  
■Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
■Electrical Characteristics  
External Dimensions FM100(TO3PF)  
(Ta=25°C)  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
2SC4886  
2SC4886  
Unit  
µA  
µA  
V
Unit  
±0.2  
5.5  
±0.2  
15.6  
±0.2  
3.45  
100max  
100max  
150min  
50min  
VCB=150V  
150  
V
IEBO  
VEB=5V  
150  
V
V(BR)CEO  
hFE  
IC=25mA  
5
V
±0.2  
ø3.3  
VCE=4V, IC=5A  
IC=5A, IB=500mA  
VCE=12V, IE=–2A  
VCB=10V, f=1MHz  
14  
3
A
a
b
IB  
VCE(sat)  
fT  
2.0max  
60typ  
V
MHz  
pF  
A
PC  
80(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
1.75  
2.15  
0.8  
Tj  
COB  
200typ  
Tstg  
hFE Rank O(50 to 100), P(70 to 140), Y(90 to 180)  
–55 to +150  
+0.2  
-0.1  
1.05  
+0.2  
±0.1  
1.5  
±0.1  
0.65  
-0.1  
5.45  
5.45  
1.5  
3.35  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
4.4  
C
VCC  
(V)  
RL  
(Ω)  
IC  
(A)  
VBB1  
(V)  
VBB2  
(V)  
IB1  
(A)  
IB2  
(A)  
ton  
(µs)  
tstg  
(µs)  
tf  
(µs)  
Weight : Approx 6.5g  
a. Type No.  
b. Lot No.  
B
E
60  
12  
5
10  
–5  
0.5  
–0.5  
0.26typ  
1.5typ  
0.35typ  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IB Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=4V)  
14  
14  
10  
3
10  
2
1
5
5
0
IC=10A  
IB=20mA  
5A  
0
0
0
1
2
3
4
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
0
1
2
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base Current IB(A)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
–
–
–
j-a t Characteristics  
hFE IC Characteristics (Typical)  
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
θ
(VCE=4V)  
(VCE=4V)  
3
200  
100  
50  
200  
125˚C  
100  
1
25˚C  
Typ  
–30˚C  
0.5  
50  
20  
0.02  
20  
0.02  
0.1  
1
10  
100  
Time t(ms)  
1000 2000  
0.1  
0.5  
1
5
10 14  
0.1  
0.5  
1
5
10 14  
Collector Current IC(A)  
Collector Current IC(A)  
–
fT IE Characteristics (Typical)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
–
Pc Ta Derating  
(VCE=12V)  
40  
80  
80  
60  
40  
Typ  
10  
5
60  
40  
1
0.5  
20  
0
Without Heatsink  
Natural Cooling  
20  
0.1  
Without Heatsink  
3.5  
0
0.05  
–0.02  
–0.1  
–1  
–10  
2
5
10  
50  
100  
200  
150  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Emitter Current IE(A)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
119  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC4886P ISC

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 		暂无描述
2SC4886P SANKEN

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