2SC4886

更新时间： 2024-09-09 22:52:43

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Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor(Audio and General Purpose)

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2SC4886 数据手册

LAP T 2 S C4 8 8 6

Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SA1860)

Application : Audio and General Purpose

■Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

■Electrical Characteristics

External Dimensions FM100(TO3PF)

(Ta=25°C)

Symbol

V^CBO

VCEO

VEBO

Symbol

I^CBO

Conditions

2SC4886

Unit

µA

Unit

±0.2

5.5

±0.2

15.6

±0.2

3.45

100max

150min

50min

V^CB=150V

150

IEBO

V^EB=5V

150

V(BR)CEO

hFE

I^C=25mA

±0.2

ø3.3

V^CE=4V, IC=5A

I^C=5A, IB=500mA

V^CE=12V, IE=–2A

V^CB=10V, f=1MHz

VCE(sat)

2.0max

60typ

MHz

80(Tc=25°C)

150

°C

1.75

2.15

0.8

COB

200typ

Tstg

h^FERank O(50 to 100), P(70 to 140), Y(90 to 180)

–55 to +150

+0.2

-0.1

1.05

+0.2

±0.1

1.5

±0.1

0.65

-0.1

5.45

1.5

3.35

■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

4.4

V^CC

(V)

(Ω)

(A)

VBB1

(V)

V^BB2

(V)

I^B1

(A)

I^B2

(A)

ton

(µs)

tstg

(µs)

Weight : Approx 6.5g

a. Type No.

b. Lot No.

–5

0.5

–0.5

0.26typ

1.5typ

0.35typ

–

IC VCE Characteristics (Typical)

VCE(sat) IB Characteristics (Typical)

IC VBE Temperature Characteristics (Typical)

(VCE=4V)

IC=10A

I^B=20mA

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

Collector-Emitter Voltage V^CE(V)

Base Current I^B(A)

Base-Emittor Voltage V^BE(V)

–

j-a t Characteristics

hFE IC Characteristics (Typical)

hFE IC Temperature Characteristics (Typical)

(VCE=4V)

200

100

200

125˚C

100

25˚C

Typ

–30˚C

0.5

0.02

0.1

100

Time t(ms)

1000 2000

0.1

0.5

10 14

0.1

0.5

10 14

Collector Current I^C(A)

–

fT IE Characteristics (Typical)

Safe Operating Area (Single Pulse)

–

Pc Ta Derating

(VCE=12V)

Typ

0.5

Without Heatsink

Natural Cooling

0.1

Without Heatsink

3.5

0.05

–0.02

–0.1

–1

–10

100

200

150

100

125

150

Collector-Emitter Voltage V^CE(V)

Emitter Current I^E(A)

Ambient Temperature Ta(˚C)

119

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