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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SC4883A
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2SC4883A

更新时间： 2024-09-10 07:31:07
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体晶体管功率双极晶体管放大器PC局域网
页数 文件大小 规格书
1页 27K
描述
Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor

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2SC4883A 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220F, FM20, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：1.22Samacsys Confidence：4
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：924133
Samacsys Pin Count：3Samacsys Part Category：Transistor BJT NPN
Samacsys Package Category：Transistor Outline, VerticalSamacsys Footprint Name：FM20 (TO220F)
Samacsys Released Date：2018-05-30 08:46:44Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：180 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：60JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：20 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：120 MHz
Base Number Matches：1

2SC4883A 数据手册

  
2 S C4 8 8 3 /4 8 8 3 A  
Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SA1859/A)  
Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Application : Audio Output Driver and TV Velocity-modulation  
(Ta=25°C)  
■
■Electrical Characteristics  
External Dimensions FM20(TO220F)  
Ratings  
Ratings  
Symbol  
Unit  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
Unit  
2SC4883 2SC4883A  
2SC4883A  
2SC4883  
±0.2  
4.2  
±0.2  
10.1  
c
0.5  
2.8  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
150  
150  
180  
180  
V
V
10max  
µA  
V
180  
150  
VCB=  
6
2
1
10max  
V
IEBO  
VEB=6V  
µA  
V
±0.2  
ø3.3  
a
b
180min  
A
V(BR)CEO  
hFE  
150min  
IC=10mA  
IB  
A
60 to 240  
VCE=10V, IC=0.7A  
IC=0.7A, IB=70mA  
VCE=12V, IE=–0.7A  
VCB=10V, f=1MHz  
PC  
20(Tc=25°C)  
150  
VCE(sat)  
fT  
1.0max  
120typ  
30typ  
W
°C  
°C  
V
MHz  
pF  
Tj  
±0.15  
1.35  
±0.15  
1.35  
Tstg  
–55 to +150  
COB  
+0.2  
-0.1  
0.85  
+0.2  
-0.1  
0.45  
±0.2  
2.4  
2.54  
2.54  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
±0.2  
2.2  
VCC  
(V)  
L
(Ω)  
IC  
VBB2  
IB1  
IB2  
ton  
tstg  
tf  
R
VBB1  
Weight : Approx 2.0g  
a. Part No.  
b. Lot No.  
(A)  
(V)  
(V)  
(mA)  
(mA)  
(µs)  
(µs)  
(µs)  
B
C E  
20  
20  
1
–5  
100  
–100  
0.5typ  
1.5typ  
0.5typ  
10  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IB Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=4V)  
100mA  
60mA  
2
2
1
0
3
2
1
1
IC=2A  
1A  
0.5A  
0
0
0
2
4
6
8
10  
2
5
10  
50  
100  
500 1000  
0
0.5  
1.0  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base Current IB(mA)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
–
–
–
j-a t Characteristics  
hFE IC Characteristics (Typical)  
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
θ
(VCE=4V)  
(VCE=4V)  
7
5
300  
300  
125˚C  
25˚C  
Typ  
100  
100  
–55˚C  
50  
30  
50  
40  
0.01  
1
1
10  
100  
Time t(ms)  
1000 2000  
0.05  
0.1  
0.5  
1
2
0.01  
0.05  
0.1  
0.5  
1
2
Collector Current IC(A)  
Collector Current IC(A)  
–
fT IE Characteristics (Typical)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
–
Pc Ta Derating  
(VCE=12V)  
20  
5
160  
140  
120  
100  
80  
Typ  
1
0.5  
10  
60  
40  
0.1  
0.5  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
1.2SC4883  
2.2SC4883A  
20  
0
Without Heatsink  
2
1
2
0
0.01  
5
10  
50  
100 200  
1
–0.01  
–0.1  
Emitter Current IE(A)  
–1  
–2  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
119  
1

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