2SC4815-M-AZ

更新时间： 2024-09-25 13:04:19

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日电电子 - NEC		晶体开关晶体管功率双极晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	167K
描述
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

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2SC4815-M-AZ 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.24
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

2SC4815-M-AZ 数据手册

DATA SHEET

SILICON POWER TRANSISTOR

2SC4815

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

FOR HIGH-SPEED SWITCHING

The 2SC4815 is a power transistor developed for high-speed switching and features low V^CE(sat)and high h^FE.

This transistor is ideal for use as a driver in DC/DC converters and actuators.

In addition, this transistor is available for the auto mount in the radial taping specifications and for mounting cost

reduction.

FEATURES

• High h^FEand low V^CE(sat):

V^CE(sat)≤ 0.3 V @I^C= 3.0 A, I^B= 0.15 A

h^FE≥ 100

@V^CE= 2.0 V, I^C= 1.0 A

• Available for auto mount in radial taping specifications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)

Parameter

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current (DC)

Collector current (pulse)

Base current (DC)

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C(DC)

I^C(pulse)*

I^B(DC)

P^T

Ratings

Unit

100

7.0

5.0

2.5

Total power dissipation

Junction temperature

1.8

°C

T^j

150

−55 to +150

Storage temperature

T^stg

* PW ≤ 300 µs, duty cycle ≤ 10%

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D15605EJ3V0DS00 (3rd edition)

Date Published April 2002 N CP(K)

Printed in Japan

2002

1998

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC4815M-T-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,60V V(BR)CEO,5A I(C),TO-126VAR
2SC4815-T-AZ	RENESAS	获取价格	Bipolar Power Transistors, MP-10, /
2SC4820	ALLEGRO	获取价格	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SC4820	SANKEN	获取价格	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220, Plastic
2SC4821	SANYO	获取价格	High-Definition CRT Display Video Output Driver Applications
2SC4821C	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SIP
2SC4821D	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SIP
2SC4821E	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SIP
2SC4823D	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 70V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SIP
2SC4823E	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 70V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SIP

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