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2SC4774T106R

更新时间： 2024-10-14 14:48:11
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 152K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN,

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2SC4774T106R 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.04
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.05 A
基于收集器的最大容量：1.7 pF集电极-发射极最大电压：6 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：180
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：800 MHz
VCEsat-Max：0.3 VBase Number Matches：1

2SC4774T106R 数据手册

 浏览型号2SC4774T106R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC4774T106R的Datasheet PDF文件第3页 
High frequency amplifier transistor,  
RF switching (6V, 50mA)  
2SC4774 / 2SC4713K  
Features  
Dimensions (Unit : mm)  
1) Very low output-on resistance (Ron).  
2) Low capacitance.  
2SC4774  
2.0  
0.9  
0.7  
0.2  
0.3  
( )  
3
Absolute maximum ratings (Ta=25C)  
(
)
( )  
1
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
2
VCBO  
VCEO  
VEBO  
12  
0.650.65  
1.3  
0.15  
6
V
3
50  
V
Each lead has same dimensions  
I
C
mA  
W
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
0.2  
ROHM : UMT3  
EIAJ : SC-70  
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
2SC4713K  
Packaging specifications and hFE  
2.9  
1.1  
0.8  
0.4  
2SC4774  
2SC4713K  
Type  
Package  
UMT3  
S
SMT3  
S
( )  
3
hFE  
Marking  
Code  
BM  
BM  
∗
∗
T106  
3000  
T146  
3000  
(
)
( )  
1
2
Basic ordering unit (pieces)  
Denotes hFE  
0.95 0.95  
1.9  
0.15  
∗
Each lead has same dimensions  
ROHM : SMT3  
EIAJ : SC-59  
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
Electrical characteristics (Ta=25C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
12  
6
−
−
−
−
−
−
−
800  
1
−
−
−
0.5  
0.5  
0.3  
560  
−
V
V
I
I
I
C
=10μA  
=1mA  
C
3
V
E
=10μA  
CB=10V  
EB=2V  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
−
−
−
180  
300  
−
μA  
μA  
V
V
V
Emitter cutoff current  
I
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
V
I
C
/I  
B
=10mA/1mA  
=5V/5mA  
CE=5V, I = −10mA, f=200MHz  
CB=10V, I =0A, f=1MHz  
=3mA, V =100mVrms, f=500kHz  
h
FE  
T
−
V
V
V
CE/IC  
Transition frequency  
f
MHz  
pF  
Ω
E
Output capacitance  
Cob  
Ron  
1.7  
−
E
Output-on resistance  
−
2
I
B
I
This product might cause chip aging and breakdown under the large electrified environment.  
Please consider to design ESD protection circuit.  
www.rohm.com  
2009.12 - Rev.C  
1/2  
c
○ 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC4774T106S ETC

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