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2SC4774T106

更新时间： 2024-10-14 19:58:19
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 76K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, UMT3, SC-70, 3 PIN

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2SC4774T106 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-70
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.07
最大集电极电流 (IC)：0.05 A基于收集器的最大容量：1.7 pF
集电极-发射极最大电压：6 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：270最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e1
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：800 MHz
Base Number Matches：1

2SC4774T106 数据手册

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2SC4774 / 2SC4713K  
Transistors  
High frequency amplifier transistor,  
RF switching (6V, 50mA)  
2SC4774 / 2SC4713K  
zDimensions (Unit : mm)  
zFeatures  
1) Very low output-on resistance (Ron).  
2) Low capacitance.  
2SC4774  
2.0  
0.9  
0.7  
0.2  
0.3  
( )  
3
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
( )  
2
( )  
1
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
12  
0.650.65  
1.3  
6
V
0.15  
3
50  
V
I
C
mA  
W
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
P
C
0.2  
Each lead has same dimensions  
Tj  
150  
°C  
°C  
ROHM : UMT3  
EIAJ : SC-70  
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
Tstg  
−55 to +150  
zPackaging specifications and hFE  
2SC4713K  
Type  
2SC4774  
UMT3  
S
2SC4713K  
SMT3  
S
Package  
hFE  
2.9  
1.1  
0.8  
Marking  
Code  
BM  
BM  
∗
∗
0.4  
T106  
3000  
T146  
3000  
( )  
3
Basic ordering unit (pieces)  
Denotes hFE  
∗
( )  
2
( )  
1
0.95 0.95  
1.9  
0.15  
Each lead has same dimensions  
ROHM : SMT3  
EIAJ : SC-59  
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
12  
6
−
−
−
−
−
−
−
800  
1
−
−
−
0.5  
0.5  
0.3  
560  
−
V
V
I
I
I
C
=10µA  
=1mA  
C
3
V
E
=10µA  
CB=10V  
EB=2V  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
−
−
−
270  
300  
−
µA  
µA  
V
V
V
Emitter cutoff current  
I
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
V
I
C
/I  
CE/I  
CE=5V, I  
CB=10V, I  
=3mA, V =100mVrms, f=500kHz  
B
=10mA/1mA  
=5V/5mA  
= −10mA, f=200MHz  
=0A, f=1MHz  
h
FE  
T
−
V
V
V
C
Transition frequency  
f
MHz  
pF  
Ω
E
Output capacitance  
Cob  
Ron  
1.7  
−
E
Output-on resistance  
−
2
I
B
I
This product might cause chip aging and breakdown under the large electrified environment.  
Please consider to design ESD protection circuit.  
Rev.B  
1/2  
123

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2SC4774T106 替代型号

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